[더밸류뉴스=손민정 기자]

국내 반도체 양대 산맥인 삼성전자와 SK하이닉스가 미국 'FMS 2026'에서 차세대 AI 메모리 기술을 잇달아 선보였다. 삼성전자는 수직 적층 구조인 'zHBM'과 400단 이상 V-NAND 기술을 처음 발표하며 고성능 반도체 비전을 제시했고, SK하이닉스는 샌디스크와 개발한 차세대 스토리지 'HBF' 표준 규격 및 375단 낸드 실물을 공개하며 기술 격차 확대에 나섰다.

◆ 삼성전자, FMS 2026서 차세대 3D 메모리 ‘zHBM’ 모형 최초 공개… AI 반도체 주도권 강화

8월4일(현지시긱) 미국 실리콘밸리에서 열린 'FMS 2026'에서 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무가 발표를 하고 있다. [사진=삼성전자]

삼성전자(대표이사 전영현 노태문)가 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 글로벌 메모리 학술행사 'FMS 2026'에 참가해 차세대 3D 메모리 구조인 zHBM과 zNAND-O 모형을 세계 최초로 선보였다. 삼성전자는 이번 전시에서 고성능 컴퓨팅과 인공지능(AI) 시스템 구동에 특화된 차세대 반도체 기술 비전을 제시하며 시장 대응력을 강조했다.

새롭게 공개된 zHBM은 AI 가속기 위에 메모리를 수직으로 올려 데이터 이동 거리를 크게 축소한 형태다. 기존 HBM5 대비 성능을 최대 8배 개선하고 전력 효율을 3배 향상시켜 대규모 데이터를 신속하게 처리하도록 돕는다. 온디바이스 AI 환경에 맞춘 zNAND-O 역시 TSV 기술을 결합해 반응 속도와 공간 효율성을 대폭 끌어올렸다.

아울러 400단 이상을 적층한 10세대 V-NAND 기술을 처음 발표하고 HBM4E, HBM5 등 차세대 AI 메모리 라인업을 통합 선보였다. 삼성전자는 메모리 제조부터 파운드리 및 패키징을 일괄 제공하는 솔루션을 앞세워 글로벌 고객사별 맞춤형 AI 반도체 공급을 강화한다는 방침이다.

◆ SK하이닉스, FMS 2026서 HBF 표준 발표… 375단 낸드 실물 최초 공개

SK하이닉스가 샌디스크와 공동 개발한 차세대 스토리지 기술 'HBF(High Bandwidth Flash)'의 첫 공식 표준 규격을 발표했다. [이미지=SK하이닉스]

SK하이닉스(대표이사 곽노정)가 샌디스크와 공동 개발한 차세대 스토리지 기술 'HBF(High Bandwidth Flash)'의 첫 공식 표준 규격을 발표했다. 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'FMS 2026' 행사 기간 중 공개된 해당 규격은 고성능 AI 인프라 환경에서 발생하는 데이터 병목 현상을 완화하기 위해 메모리와 스토리지 간 신규 계층을 정의한 기술이다.

이번에 확정된 HBF 규격은 낸드 플래시를 수직으로 적층해 최대 512GB의 용량을 구현하며 범용 반도체 연결 규격인 UCIe를 채택해 다양한 연산 장치와의 호환성을 높였다. 해당 기술 사양은 글로벌 데이터센터 기술 협의체인 OCP를 통해 공개되어 개방형 생태계 조성을 위한 표준으로 활용될 예정이다.

이와 함께 SK하이닉스는 전시 현장에서 전력 효율과 데이터 처리 성능을 대폭 개선한 375단 초고적층 낸드플래시 실물을 최초로 선보였다. SK하이닉스는 내년 초 375단 낸드 기반의 고성능 데이터센터용 저장장치 양산에 돌입해 차세대 메모리 및 스토리지 시장 내 기술 경쟁력을 이어갈 방침이다.

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