[더밸류뉴스=오중교 기자]

삼성전자가 업계 최초로 D램 12개를 쌓아 수직으로 연결하는 반도체 패키징 기술을 개발했다.

7일 삼성전자는 '12단 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV)' 기술을 개발했다고 밝혔다. '12단 3D-TSV'는 와이어를 이용해 칩을 연결하는 기존 방식과 달리, 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 20분의 1 수준인 마이크로미터 직경의 전자 이동 통로 6만 개를 만들어 연결하는 방식이다.

 삼성 스마트폰 매장. [사진=더밸류뉴스]

이 기술은 종이의 절반 이하 두께로 가공한 D램 칩 12개를 적층해 수직으로 연결하는 고도의 정밀성이 필요해 반도체 패키징 기술 중 가장 난이도가 높은 기술이다. '3D-TSV'는 기존 와이어 본딩 기술보다 칩들 간 신호를 주고받는 시간이 짧아져 속도와 소비전력을 획기적으로 개선할 수 있는 점이 특징이다.

삼성전자는 이번 기술 개발로 기존 8단 적층 HBM2(고대역폭 메모리) 제품과 동일한 패키지 두께를 유지하면서도 12개의 D램 칩을 적층해 별도의 시스템 디자인 변경 없이 보다 높은 성능의 차세대 고용량 제품을 출시할 수 있게 됐다.

아울러 12단 3D-TSV 기술에 최신 16Gb D램 칩을 적용해 업계 최대 용량인 24GB 고대역폭 메모리 제품도 구현할 수 있다. 이는 현재 양산 중인 8단 8GB 제품보다 3배 늘어난 용량이다.

 

와이어본딩과 3D-TSV 비교. [사진=삼성전자]

삼성전자는 향후 고객 수요에 맞춰 '12단 3D-TSV' 기술을 적용한 고용량 HBM 제품을 적기에 공급해 프리미엄 반도체 시장을 지속적으로 선도해 나갈 계획이다.

삼성전자 DS(디바이스솔루션)부문 TSP(터치스크린패널)총괄 백홍주 부사장은 "인공지능, 자율주행, HPC(고성능 컴퓨팅) 등 다양한 응용처에서 고성능을 구현할 수 있는 최첨단 패키징 기술이 날로 중요해지고 있다"며 "기술의 한계를 극복한 혁신적인 '12단 3D-TSV 기술'로 반도체 패키징 분야에서도 초격차 기술 리더십을 이어가겠다"라고 언급했다.

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