[더밸류뉴스=홍순화 기자]

SK하이닉스(대표이사 곽노정)가 메모리 업계 최초로 양산용 ‘하이 엔에이(High NA) EUV’를 도입하면서 글로벌 반도체 기술 경쟁에서 선도적 위치를 확보했다. 회사는 기존 대비 회로 정밀도와 집적도를 크게 높인 차세대 노광 장비를 통해 생산성과 원가 경쟁력을 동시에 확보하며, 급성장하는 AI 메모리 및 차세대 컴퓨팅 시장에서 기술 리더십을 공고히 하겠다는 전략이다.

SK하이닉스 매출액, 영업이익률 추이. [자료=더밸류뉴스] 

3일 경기도 이천 M16 팹(Fab)에서 열린 기념행사에서 SK하이닉스는 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’를 공식 반입했다고 밝혔다. 행사에는 차선용 미래기술연구원장(CTO)과 이병기 제조기술 담당 부사장, ASML코리아 김병찬 사장 등이 참석했다.

이번에 도입된 하이 엔에이 EUV는 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)을 적용한 최초의 양산형 장비다. 이를 통해 1.7배 정밀한 회로 구현과 2.9배 높은 집적도를 실현할 수 있으며, 차세대 메모리 반도체 양산에 핵심 역할을 수행할 것으로 기대된다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 적용한 이래 첨단 공정을 확대해왔다. 그러나 미래 반도체 시장에서 요구되는 극한의 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비의 한계를 넘어서는 기술이 필요했다. 이번 장비 반입으로 공정 단순화, 제품 성능 향상, 원가 절감이라는 세 가지 목표 달성이 가능해졌다는 평가다.

차선용 CTO는 “이번 장비 도입으로 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보했다”며 “AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 글로벌 메모리 시장을 선도하겠다”고 말했다.

ASML코리아 김병찬 사장도 “하이 엔에이는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 협력을 강화해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당기겠다”고 밝혔다.

업계는 SK하이닉스가 하이 엔에이 EUV를 조기 도입함으로써 글로벌 경쟁사 대비 차세대 메모리 양산에서 앞서 나갈 것으로 보고 있다. 특히 AI 확산으로 초고속·초고용량 메모리 수요가 급증하는 가운데, 이번 투자로 시장 주도권을 강화하고 기술 리더십을 공고히 할 수 있을 것이란 분석이 나온다.

SK하이닉스의 하이 엔에이 EUV 도입은 단순한 장비 반입을 넘어, 차세대 반도체 시장의 패러다임 변화를 선도하기 위한 전략적 행보로 평가된다. 업계에서는 향후 이 장비가 AI 반도체, 서버용 D램, 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 등 고부가가치 제품 경쟁력 확보에 핵심적 역할을 할 것으로 내다보고 있다.

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