[더밸류뉴스=신현숙 기자]

삼성미래기술육성사업이 지원하는 국내 대학 연구팀의 차세대 반도체 소재 연구가 성과를 인정받아 국제학술지에 게재됐다.

25일 삼성에 따르면 포스텍 신소재공학과 손준우 교수, 최시영 교수 연구팀은 반도체 미세화에 따라 점차 중요성이 커지고 있는 열 문제 해결을 위한 차세대 소재 기술을 개발했다. 연구팀은 2017년 7월 삼성미래기술육성사업 연구과제로 선정돼 3년간 지원을 받았다.

삼성미래기술육성사업이 연구 지원한 포스텍 신소재공학과 손준우(뒷줄 왼쪽부터) 교수, 최시영 교수 연구팀이 차세대 소재 기술을 개발했다. [사진=삼성]

연구 결과는 고집적 반도체용으로 사용할 수 있는 새로운 소재를 개발한 성과로 인정받아 지난 18일(영국 현지시각) 국제학술지인 '네이처 커뮤니케이션스(Nature Communications)'에 게재됐다. 반도체 분야의 기술 혁신은 미세화를 통한 트랜지스터 회로의 집적도를 높이는 방향으로 진행돼 왔다.

반도체는 집적도가 커질수록 소비하는 전력은 줄어들고 동작 속도는 빨라지지만, 반도체 소자가 동작하면서 발생하는 열에 의한 오작동 등 새로운 문제가 발생하고 있다. 문제 해결 방법은 트랜지스터의 구동 전압을 낮추고 기존의 실리콘을 대체하는 신규 소재를 개발하거나 실리콘과 신규 소재를 접합하는 것 등이 있다.  

최근 특정한 전압에 다다르면 물질의 상(相, Phase)이 절연체에서 금속으로 빠르게 바뀌는 상전이(相轉移) 산화물 반도체가 대표적인 신규 소재로 주목 받고 있다. 연구팀은 상전이 산화물 반도체의 일종인 단결정 산화바나듐(금속 바나듐과 산소가 결합해서 만들어진 화합물)이 기존 실리콘 대비 전류를 흘릴 때 필요한 전압이 낮아 발열이 덜 되는 성질에 주목해, 단결정 산화바나듐을 실리콘 웨이퍼 위에 적층할 수 있는 기술을 개발했다.

하지만 단결정 산화바나듐은 실리콘과 결정 구조가 달라 웨이퍼에 직접 적층 성장할 경우 전기적인 결함이 발생할 수 있었다. 이에 연구팀은 실리콘 웨이퍼 위에 결정 구조가 같은 산화티타늄을 우선 적층한 후 그 위에서 산화바나듐을 단결정 상태로 성장시키는데 성공했다. 연구팀은 이번에 개발한 소재를 실제 반도체 소자 제작에 활용하기 위해 산화물 반도체와 전극 사이의 저항 감소, 소자 크기에 따른 전기적 특성 제어 등 관련 기술에 대해 연구하고 있다.

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